次世代システムの効率性と堅牢性を実現するGaN
GaNパワーデバイスは、効率の向上、スイッチング損失の低減、高速化により、従来のシリコン技術を越える性能を実現しています。GaNの優れた性能と堅牢性は、EV充電器や産業用オートメーションなどの用途におけるパワーエレクトロニクスに革命をもたらしています。
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ワイドバンドギャップ
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ワイドバンドギャップ半導体の現在
今日、電気制御、通信、電力、作動、センシングに使用されるほとんどのシステムは、電動化され、電気的に接続されています。1950年代から、このようなテクノロジーの中核をなす半導体素子としてシリコン（Si）が使われてきました。極めて汎用性の高い半導体で、何十年にもわたり開発が続けられてきました。しかし、Siには、高出力、高周波、効率性、耐放射線性、低ノイズ、光電子機能などの面で限界があります。
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次世代パワー半導体技術：インフィニオンCoolSiC™とは？
「戦いは塹壕で決まる」という言葉をご存知ですか。その意味は、現場の最前線で汗まみれになって働く人たちが最終的に勝敗を決するという意味です。実は、電源システム設計の現場でも、現在エンジニアたちによって「塹壕（トレンチ）」での戦いが繰り広げられています。ここでは、その戦いを勝ち取るためには何が必要なのか考えてみたいと思います。
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